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        優質的半導體功率器件產品和服務摻雜技術 · 設計研發場景應用

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        400-926-3400

        芯國半導體-半導體研發定制生產廠家
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        關于芯國半導體about us

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        ABOUT US 浙江芯國半導體有限公司

        浙江芯國半導體有限公司是中國碳化硅(SiC)第三代半導體摻雜技術研究及器件研發、設計、制成、應用、銷售為一體的機構。是致力于大功率半導體芯片結構設計和外延生長、MOSFET、IGBT芯片設計與應用、第三代半導體功率器件封裝與散熱的倡導者。芯國公司致力于中國芯片半導體功率器件制造產業的發展,并向全球功率器件消費者提供優質的半導體功率器件產品和服務。

        芯國公司坐落于浙江省杭州市富陽區春江街道江南路68號。園區環境優雅。

        企業實力Company Strength

        公司基礎核心產品以SIC肖特基二極管、MOSFET管為代表,其中600V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A-50A,3300V/0.6A-50A等系列的碳化硅肖特基二極管、MOSFET管產品已經投入批量生產,產品質量完全可以比肩國際同行業的先進水平。芯國公司通過與產業同行、科研院所、國內外專家共同探索與開發,正在將SiC功率器件推廣到更多更廣的應用領域。

        • 生產車間

          生產車間

        • 辦公場景

          辦公場景

        • 品質檢驗線

          品質檢驗線

        技術優勢Technical Advantages

        準摻雜外延生長 1、提出了第三代半導體摻雜機理,實現相關模擬計算 2、控制溫場和流場分布、降低缺陷并增加外延厚度,獲得均勻的SiC同質異性外延厚度高于200μm;獲得器件的擊穿電壓高于20kV,載流子遷移率高于15cm2/V·s,正向電流密度高于100A/cm2 3、采用高速-低速,高溫-低溫,單源-多源的有機結合,實現半導體精準可控摻雜

        SiC功率器件得到了國家青年“973“項目的支持 1、成功研制國內第一批工業化SiC基MOSFET功率器件 2、國內第一個10kV p溝道SiC IGBT器件 3、國際上率先將1200V SiC肖特基二極管應用到電動汽車充電樁中

        SiC MOSFET器件研究進展 成功研制600V和1200VSiC基MOSFET,性能達到國際水平,其中1200V 100mΩMOSFET為中國第一個產業化產品。

        • 準摻雜外延生長

          準摻雜外延生長

        • SiC功率器件

          SiC功率器件

        • SiC MOSFET器件研究

          SiC MOSFET器件研究

        產品與優勢Products and Advantages

        1、本團隊在第一性原理計算和器件仿真模擬等方面深厚的技術積累,所研制的SiC外延片的關鍵指標均已遠超國內公司產品水平,高質量的外延片也正是制造高端芯片的基礎和保證。

        2、外延片的摻雜濃度過高會導致器件的擊穿電壓下降,而過低又會造成導通電阻變大。我司外延片摻雜不均勻性可以控制到5%以下,遠低于國內外10%的平均水平,既滿足高壓芯片的使用要求,又有助于提高芯片的良率。

        3、與傳統硅器件相比可以實現低導通電阻、高速開關和耐高溫高壓工作。傳統硅器件極限只能承受900V電壓,SiC器件能輕松承受1200V電壓,最大甚至能承受高達10000V,在電源汽車鐵路,家用電子設備等潛力巨大。

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